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铟镓砷（InGaAs）光电探测器在红外光谱区域有出色的性能，广泛应用于通信、光谱分析等领域。关于其暗电流和响应度曲线，以下是一些基本信息。
1、暗电流：暗电流是光电探测器在没有光照条件下的电流，在InGaAs光电探测器中，暗电流的大小受到温度、材料质量、设备结构等多种因素的影响，降低工作温度和选择高质量的材料可以有效减小暗电流，暗电流是光电探测器性能的一个重要参数，因为它可能会影响探测器的信噪比和灵敏度。
2、响应度曲线：响应度曲线描述了光电探测器在不同波长下的光电转换效率，对于InGaAs光电探测器而言，其主要工作在红外光谱区域，因此其响应度曲线会在这个区域内达到峰值，响应度曲线通常会在峰值波长处达到最大响应度，随着波长的变化，响应度会逐渐减小，设备的结构、材料质量等因素也会影响响应度曲线。
暗电流和响应度曲线是评估光电探测器性能的重要指标，在实际应用中，需要根据具体需求选择适合的设备，并在使用时对设备进行适当的控制和调整，以获得最佳的性能。
具体的暗电流和响应度曲线会因设备型号、制造工艺、使用条件等因素有所不同，如果需要更详细的信息或特定设备的曲线，建议查阅相关设备的技术手册或联系设备制造商。
仅供参考，建议咨询专业人士获取准确信息。